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为什么碳化硅MOSFET会取代IGBT? 碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它们具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的开关速度、更低的导通电阻、更高的耐压和更高的结温，因此在高频、高压和高功率应用中具有优势。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊应用中仍具有优势。SiC碳化硅MOSFET技术性能上的优势，使变换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本 光伏逆变器，电动汽车，储能变流器，充电桩电源模块等电力电子系统向更高电压发展已经成为行业的必...
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